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薄膜晶体管的物理紧凑模型

2022-05-03 17:45 浏览次数:

632ED嘉宾简介:

Prof. Benjamin Iñiguez

西班牙,罗维拉∙威尔吉利大学(Universitat Rovira i Virgili,URV),电子工程系教授。

主要从事先进半导体器件的CAD数值建模与参数 提取技术研究 , 包 括 MOSFETs 、HEMTs、TFTs等。多次获得西班牙(加泰罗尼亚政府)高校科研进步奖、ICREA 学术奖。IEEE Fellow,IEEE EDS第八区副主席、IEEE TED编辑、IEEE EDS紧凑模型技术委员会主席等。

报告时间:2022年4月12日(星期二)

腾讯会议:636 823 070

主 持 人:廖蕾 教授

主办单位:半导体(集成电路)学院、物理与微电子科学学院

报告摘要:

薄膜晶体管(TFTs)是大面积电子中必不可少的器件,特别是在有源矩阵液晶显示领域(AMLCDs)。随着物联网的兴起、柔性印刷及可伸缩电子的发展,推动薄膜晶体管的广泛应用。目前或未来TFTs的应用方向包括有源矩阵显示器、成像仪、射频识别与可穿戴传感系统等。此外,针对不同材料的有源层,可将TFTs打印在可生物降解的基材上,从而实现可持续发展的技术。

精确紧凑的薄膜晶体管建模是TFTs电路设计的必备要求。不同类型的TFTs,包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、有机与氧化物半导体等。每种材料有其特定的物理特性与现象,进而影响器件行为。针对不同类型的TFTs,我们提出相关物理效应的模型,讨论材料、界面性质、静电、电荷与热传输。最后,我们提出了适用于电路设计的物理紧凑模型,以及目标参数提取方法。

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