主讲人：张冠张，北京大学深圳研究生院
Email: kcchang@pkusz.edu.cn
时间：2022年7月6日下午14:00
地 点：物电院A112
联系人：廖蕾
报告摘要：
随着摩尔定律放缓，电子器件和芯片在性能上的提升愈加困难，面对器件对高性能和低功耗的迫切需求，报告人张冠张老师将绿色低温超临界流体引入电子领域，利用交叉学科的研究背景，深入开展了超临界流体与电子器件和材料之间的一系列研究，成功修复包括阻变存储器、薄膜晶体管、第三代半导体器件、二维电子器件、碳纳米管器件等多种器件内部缺陷，有效改善器件的电学、光学特性；在低温下成功去除各类聚合物材料、生物材料中的小分子杂质，提升材料和薄膜的电学和光学品质。研究主题不仅致力于创新性，同时兼顾绿色环保和可持续发展。
本报告将从电子器件及材料所面临的瓶颈和所需解决的问题出发，介绍超临界流体的特点和技术应用，重点阐述已开发的多种超临界流体技术（包括氧化、碳化、脱羟、提纯等）及其在各类电子器件和材料上的研究进展，并进一步探讨超临界在神经形态器件、生物材料及器件等领域的应用，报告最后将对超临界流体的应用发展做出展望。
个人简介：
北京大学助理教授，2014年于国立中山大学（中国台湾）获得博士学位，2017年加入北京大学深圳研究生院，研究领域包括：新型存储器与类脑计算、生物电子、超临界流体等，先后主持国家自然科学基金委、广东省自然科学基金委、深圳市科创委等项目。迄今发表SCI论文110余篇，其中以第一/通讯作者在Advanced Functional Materials, Materials Today, Materials Horizons, IEEE EDL, IEDM等重要期刊和国际会议上发表论文40余篇，引用2400余次，已授权国内外专利50多项。担任AFM、APL、EDL等多个国际期刊审稿人，IEEE高级会员。
0731-88820068
