嘉宾简介：
Prof. Benjamin Iñiguez
西班牙，罗维拉∙威尔吉利大学（Universitat Rovira i Virgili，URV），电子工程系教授。
主要从事先进半导体器件的CAD数值建模与参数 提取技术研究 ， 包 括 MOSFETs 、HEMTs、TFTs等。多次获得西班牙（加泰罗尼亚政府）高校科研进步奖、ICREA 学术奖。IEEE Fellow，IEEE EDS第八区副主席、IEEE TED编辑、IEEE EDS紧凑模型技术委员会主席等。
报告时间：2022年4月12日（星期二）
腾讯会议：636 823 070
主 持 人：廖蕾 教授
主办单位：半导体（集成电路）学院、物理与微电子科学学院
报告摘要：
薄膜晶体管（TFTs）是大面积电子中必不可少的器件，特别是在有源矩阵液晶显示领域（AMLCDs）。随着物联网的兴起、柔性印刷及可伸缩电子的发展，推动薄膜晶体管的广泛应用。目前或未来TFTs的应用方向包括有源矩阵显示器、成像仪、射频识别与可穿戴传感系统等。此外，针对不同材料的有源层，可将TFTs打印在可生物降解的基材上，从而实现可持续发展的技术。
精确紧凑的薄膜晶体管建模是TFTs电路设计的必备要求。不同类型的TFTs，包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、有机与氧化物半导体等。每种材料有其特定的物理特性与现象，进而影响器件行为。针对不同类型的TFTs，我们提出相关物理效应的模型，讨论材料、界面性质、静电、电荷与热传输。最后，我们提出了适用于电路设计的物理紧凑模型，以及目标参数提取方法。
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