后湖论坛: GaN基低缺陷材料及单片集成功率器件

报告时间：2023年9月8日（星期五）11:00报告地点：研究院一楼报告厅

主讲人：宁静，教授

联系人：刘兴强，教授

摘要:

报告围绕GaN基低缺陷材料及单片集成功率器件的关键科学与技术问题开展了深入研究，实现了国际领先水平的低缺陷的GaN外延材料和高功率高效率的GaN基微波单片集成电子器件，成果入选参加国家“十三五”科技创新成就展,并在国家装备中得到了成功应用。研制的高效率GaN微波功率器件在宇航通信、卫星测控以及精确制导等国家重点工程中成功应用。

主讲人简介:

宁静，女，西安电子科技大学微电子学院教授，在中科院院士郝跃教授的带领下，发表第一/通讯作者论文60余篇，包括AFM.、Small等国际知名期刊的封面论文（Cover）数十篇。授权第一发明人国家发明专利13项、国际专利7项。成果受到了诺贝尔奖获得者、中科院院士、美国院士及Fellow等25位国际知名专家的高度评价；多家知名学术媒体科学网、WILEY首页及全球20多家半导体行业网站着重报道。获陕西省电子学会自然科学一等奖、陕西省高等学校科学技术一等奖；全国芯缘科技创新奖获得者、芜湖市高层次科技人才团队的负责人。入选陕西省青年科技新星及陕西省高校科协青年人才托举计划。