报告时间:2023年9月8日(星期五)10:00
报告地点:研究院一楼报告厅
主讲人:孙林锋 ,教授,博士生导师
联系人:刘兴强,教授
摘要:
当前人工智能算力的发展瓶颈和摩尔定律的限制,需要对计算机的架构进行根本性的改变。以忆阻器为载体实现存储与计算融合,为突破传统“冯诺依曼”架构提供了有效的解决方案。由于材料本身以及器件工作机理的限制,使得忆阻器尺寸微缩难以继续。而新型低维材料由于其层状超薄特性和丰富的物理电子特性受到了广泛的关注。本报告将在此基础上,围绕现有的神经拟态器件的物理机制展开介绍,并通过合成/堆叠异质结设计新型物理原型器件,实现新型信息电子器件在类脑计算上的应用。
主讲人简介:
孙林锋,北京理工大学物理学院,教授,博士生导师,国家重点研发计划首席青年科学家,国家高层次海外青年引进人才,北京理工大学徐特立青年学者。2016年博士毕业于新加坡南洋理工大学应用物理学院,师从Shen Zexiang教授,并与2017年获韩国科技部“Korean Research Fellowship”资助,加入Young Hee Lee教授组建的CINAP研究中心。并与2021年加入北京理工大学物理学院姚裕贵教授课题组,同年入选“国家高层次海外青年引进人才”,荣获“中国新锐科技人物”。主持国家重点研发计划、北京市自然科学基金重点研究计划、徐特立青年学者启动计划等项目。长期从事新型量子材料物态调控与类脑器件物理设计。近年来以第一/通讯作者在Nature Communications, Science Advances, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Letters等期刊上发表论文60余篇。担任 《InfoMat》、《Nano-Micro Letters》、《SmartMat》、《The Innovation》、《The International Journal of Extreme Manufacturing》等期刊编委/青年编委。