后湖论坛：半导体掺杂与缺陷物理

报告时间：2023年10月22日（周日）上午10：00

报告地点：长沙半导体技术与应用创新研究院3楼C312

主讲人：邓惠雄，中国科学院半导体研究所，北京，100083，Email:hxdeng@semi.ac.cn

联系人：黎博,副教授

报告摘要：材料从导电性可分为金属、半导体、和绝缘体。金属总是导电，绝缘体总是不导电，二者不具有人为的可控性。然而，半导体由于其导电性和导电类型具有可控性，因此成为了当今信息科学技术基础材料。但是，纯净的半导体材料并不具有良好的导电性，必须进行掺杂和缺陷控制后才能调控其导电性和导电类型，从而制备出优良的微电子和光电子器件。因此，掺杂与缺陷控制是半导体科学技术的核心之一。在本报告中，我们将围绕半导体中的掺杂与缺陷相关问题展开讨论，主要包括：低维半导体、宽禁带半导体中的缺陷与掺杂物理、热力学非平衡掺杂与缺陷物理，器件中的缺陷调控等等。

主讲人介绍：邓惠雄，博士，研究员，国科大岗位教授，博士生导师。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室(NREL) 从事博士后研究。2014年2月回到中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室。2019年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金资助，2021年入选中科院青促会优秀会员。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体材料与器件的物性探究与设计等领域的研究工作。迄今已经在Science、Nature Energy、Nature Comm.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文90多篇。