报告时间:2023年11月28日(星期二)15:00
报告地点:研究院一楼报告厅
主讲人:巫 江,教授
联系人:刘兴强,教授
报告摘要:化合物半导体在下一代电芯片和光电芯片等应用方面展现了巨大的前景和优势。几年内,多种新型化合物半导体在材料制备工艺过程中可以实现单原子层的控制精度,进而获得前所未有的组分和结构控制,催生新颖的异质结材料和新的能带工程设计方法。伴随着材料制备技术的成熟,基于新型化合物半导体的光电器件器件性能不断提升,应用场景覆盖从国防到民用的广阔市场空间。本报告主要围绕新型化合物半导体光电薄膜材料设计和制造,介绍基于新型化合物半导体薄膜在光电子器件中的研究进展,包括化合物半导体异质外延工艺、基于半导体低维异质结构的高性能光电探测器设计以及面向光电传感应用的半导体光源设计与制造。
报告人简介:巫江,电子科技大学基础与前沿研究院副院长,教授、博士生导师,四川省学术与技术带头人,先进光电子四川省青年科技创新研究团队负责人。2011年获得美国阿肯色大学博士学位,先后在美国和英国留学和从事科研教学工作10余年,曾任英国化合物半导体未来制造中心KPI、伦敦大学学院助理教授(终身教职)、博士生导师。研究领域包括化合物半导体外延生长工艺、半导体激光器、光电探测器等,实现了高性能III-V族中红外探测器、硅基III-V量子点激光器、新型低维结构光电探测器件和面发射激光器等。先后主持EPSRC Programme Grant课题、国家重点研发课题、国家自然科学基金面上项目等项目,在Nature Photonics,Nature Electronics等学术期刊上发表学术论文200余篇,引用1万余次,入选爱思唯尔中国高被引学者。授权发明专利10余项,出版英文专著5部。现为中国光学工程学会理事、英国工程技术学会会士、英国高等教育学会会士、IEEE高级会员、伦敦大学学院Arena Fellow,兼任Discover Nano主编、Nano-Micro Letters和《实验科学与技术》等期刊编委委员、InfoMat和Journal of Materials Science and Technology青年编委。