后湖论坛：Si基GaN器件及系统研究

报告时间：2023年12月28日（星期四）15：00-16：00

报告地点：长沙半导体技术与应用创新研究院C312

联系人：何鹏辉

报告摘要：以GaN为代表的第三代半导体材料及器件具有优良的高温、高压及高频特性，被认为是下一代电力电子和微波射频技术的核心。欧美日等均将第三代半导体纳入国家发展战略规划，中国第三代半导体产业亦形成了以长三角、珠三角、中西部地区等为代表的产业集群。近年来，报告人在Si基GaN器件及其系统应用方向取得了系列研究成果：1）先进Si基GaN器件工艺研发：超低阻源漏欧姆接触、低损伤GaN刻蚀技术、钝化层应力工程、再生长技术、器件可靠性、栅介质层和表面处理等；2) GaN功率器件及电源系统开发：实现高性能级联型GaN器件，结合PFC技术，开发300-4000 W的高效工业电源，效率高达99.1%，针对P-GaN帽栅器件和新型再生长凹栅常关型器件开展系统研究；3) GaN射频器件及5G小基站射频前端：创新钝化层应力工程技术，实现免刻蚀常关型GaN射频器件，开发应用于微小基站的高回退效率Doherty功率放大器。4）GaN气体传感器：可在高温环境中实现对CO, H₂S, H₂等气体及颗粒物的高灵敏度探测，并结合AI算法实现智能高集成度传感。

主讲人介绍：汪青博士，南方科技大学深港微电子学院研究教授、研究员，博士生导师，深圳市高层次人才，IEEE EDS Power Devices and ICs委员会委员，主要研究方向为GaN功率和射频器件，设计和制备适用于5G通讯、智能电网等领域的GaN基器件及系统。先后主持了国自然青年基金、广东省自然科学基金青年提升项目、广东省科技计划项目、深圳市基础研究重点和面上项目等科研项目10余项，面向国家需求与国内龙头企业开展联合实验室和横向项目合作，累计发表SCI/EI论文50余篇。授权/申请国内发明专利40余项和PCT专利5项，参与制定1项行业标准和2项团体标准，获得中国发明协会发明创业奖创新奖二等奖。