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集成电路学院 2026年“黄昆英才班”选拔通知

2026-09-22 10:16 浏览次数:

一、黄昆英才班”简介

“黄昆英才班”(以下简称黄昆班)由湖南大学与中国科学院半导体所(以下简称半导体所)联合举办,依托湖南大学集成电路学院,联合培养有志于从事集成电路科学与工程、微电子科学与工程及半导体前沿交叉学科研究、具备良好科学素养、具有创新意识和创新能力的拔尖创新人才。

二、选拔对象与条件

1. 选拔对象:微电子科学与工程专业二年级学生;

2. 选拔人数:不超过30人;

3. 申请条件:品德端正,热爱学科专业,学习成绩优秀,不存在“课程成绩不及格”“违规违纪”等现象;

4. 满足如下条件之一:核心课程加权平均成绩排名前50%;第一作者发表高水平学术论文;获得国家级竞赛奖励(二等奖排名第一、或一等奖排名前三)。

三、培养计划与学习要求

1. 黄昆班将邀请半导体所高水平专家、教授来院开展前沿讲座等。

2. 学院将组织黄昆班部分学生到半导体所参加暑期专题研讨班和科研活动等。

3. 黄昆班本科三年级学生通过评选和考核,可获得“黄昆奖学金”。一等奖2名(奖励4000元/人),二等奖4名(奖励2000元/人),其余通过考核的同学获得三等奖(奖励1000元/人)。

4. 在第四学年通过学生与导师的双向选择,黄昆班学生可在学院和半导体所双方导师共同指导下在半导体所开展毕业设计(论文)研究、参加相关科研活动等。

5. 入选学生须在完成本专业培养方案的基础上参加黄昆班各项活动。湖南大学和半导体所为完成湖南大学毕业及学位要求、通过黄昆班各项考核的学生联合颁发学习证明书。

6. 黄昆班实行每学期动态调整机制。学生出现课程成绩不及格、违规违纪、本科阶段未达到学校推免基本条件等情况须退出黄昆班。

四、申请材料与考核安排

1. 符合申请条件的学生请填写申请表(见附件)。1份纸质版材料在10月9日(周五)17:00前提交至长沙半导体技术与应用创新研究院C316办公室刘老师处,并做好登记。电子版材料发送至邮箱zhangyipeng@hnu.edu.cn。

(1)邮件主题及申请表命名“姓名+班级+黄昆班申请”。

(2)所交申请表应含本人签字,可打印签字后扫描或使用电子签名。

(3)若有附件证明材料,请合为一个压缩包。

2. 黄昆班联合工作小组对申请材料进行审核,对通过审核的申请人组织面试。由5名具有高级职称的专家组成面试小组,取平均分作为面试成绩,按面试成绩由高到低依次录取。面试安排另行通知。