基本信息

Jean-Pierre Raskin，湖南大学兼职教授。

比利时皇家学院院士、IEEE/IET Fellow、法语鲁汶大学教授。

研究方向包括：1）先进SOI MOSFET的建模、宽频表征与制造；2）MEMS/NEMS传感器的微纳加工，以及纳米尺度材料本征参数的提取。

对研究方向与出国留学感兴趣的同学，欢迎联系邮箱：

jean-pierre.raskin@uclouvain.be（英文）；liguoli_lily@hnu.edu.cn（中文）

教育经历

1994-1997，法语鲁汶大学，应用科学，博士学位

1993-1994，法语鲁汶大学，应用科学，硕士学位

1989-1993，比利时阿尔隆高等工业学院，工业工程师

工作经历

2012-至今，比利时，法语鲁汶大学，电子工程系，终身教授

2007-2012，比利时，法语鲁汶大学，电子工程系，教授

2009-2010，英国，纽卡斯尔大学，电子电气与计算机工程，访问教授

2000-2007，比利时，法语鲁汶大学，电子工程系，副教授

1998-2000，美国，密歇根大学，放射实验室，博士后

科研项目

2020-至今，主持或负责的基础科学研究与产研合作课题20余项，代表性项目如下：

2020-2024，欧盟项目BEYOND5

2022-2025，比利时项目SPORTER

2023-2026，比利时项目LIMIT-JCAS

2023-2029，比利时项目SµE-ELEN

2024-2027，欧盟联合项目SOIL

2024-2027，欧盟联合项目Move2THz

2024-2028，欧盟水平线项目DESIRE4EU

2024-2029，欧盟联合项目FAMES

荣誉奖项

2023，比利时皇家学院院士

2023，IET Fellow

2022，IET成就奖

2020，Georges Vanderlinden科学奖

2019，AMPERE国际奖章

2017，欧洲SEMI学术创新与工业贡献奖、欧洲全球教育创新奖

2016，国际SOI产业联盟奖

2015，BLONDEL国际奖章

2014，IEEE Fellow

论文专利

发表期刊与会议论文1000余篇，H因子70，授权专利17项。代表性论文如下：

1. A wideband power amplifier and a configurable balanced power amplifier in 22 nm FD-SOI for 5G 24-43 GHz applications, IEEE Transactions on Circuits and Systems I

2. AlN/Si interface engineering to mitigate RF losses in MOCVD grown GaN-on-Si substrates, Applied Physics Letters

3. Double Buried Oxide Trap-Rich substrates for high frequency applications”, IEEE Electron Device Letters

4. RF modelling of trap-rich passivated semiconductor substrates: Part I - Static and dynamic physics of carriers and traps, IEEE Transactions on Electron Devices

5. RF modelling of trap-rich passivated semiconductor substrates: Part II - Parameter impact on harmonic distortion, IEEE Transactions on Electron Devices

6. SOI technologies for RF and millimeter-wave integrated circuits, IEEE Journal of the Electron Devices Society (invited article)

7. On the Separate Extraction of Self-Heating and Substrate Effects in FD-SOI MOSFET, IEEE Electron Device Letters

8. Improved split CV mobility extraction in 28 nm FD SOI transistors, IEEE Electron Device Letters

9. Fundamental limitations for the transfer of graphene grown on Cu substrates, Carbon

10. Substrate RF losses and non-linearities in GaN-on-Si HEMT technology, IEEE International Electron Devices Meeting